Menu

Personnel of the ICMAB

Name:Alonso Carmona, Mª Isabel
Date of assignement:01.05.96
Date and place of birth:1961, Barcelona

University degrees:
Ciències Fí­siques, Universitat Autònoma de Barcelona, (1984)
Doctorat, universitat i any:
Dr. rer. Nat., Universität Stuttgart (1989)
Specialities:
Molecular-beam Epitaxy of Si
Spectroscopic ellipsometry
Optical properties of semiconductors
Number of published articles:124
Citations:2375
Theses:5
H Factor:24

Personnel/Group web:http://www.icmab.es/nanopto/
Researcher Id:http://www.researcherid.com/rid/A-2011-2008
LinkedIn:http://es.linkedin.com/pub/maria-isabel-alonso/46/8b3/5b9

Most significatives scientific articles:
In-Plane Epitaxial Growth of Self-Assembled Ge Nanowires on Si Substrates Patterned by a Focused Ion Beam
Authors:IC Marcus, I Berbezier, A Ronda, MI Alonso, M Garriga, AR Goñi, E Gomes, L Favre, A Delobbe, P Sudraud
Reference:Cryst. Growth Des., 2011, 11 (7), pp 3190–3197 DOI: 10.1021/cg200433r

Evolution of strain and composition during growth and capping of Ge quantum dots with different morphologies
Authors:A Bernardi, M I Alonso, J S Reparaz, A R Goñi, P D Lacharmoise, J O Ossó and M Garriga
Reference:Nanotechnology 18 475401(2007); doi:10.1088/0957-4484/18/47/475401

Influence of Si interdiffusion on carbon-induced growth of Ge quantum dots: a strategy for tuning island density
Authors:A Bernardi, J O Ossó, M I Alonso, A R Goñi and M Garriga
Reference:Nanotechnology 17 2602 (2006); doi:10.1088/0957-4484/17/10/026

Density control on self-assembling of Ge islands using carbon-alloyed strained SiGe layers
Authors:A. Bernardi, M. I. Alonso, A. R. Goñi, J. O. Ossó and M. Garriga
Reference:Appl. Phys. Lett. 89, 101921 (2006); http://dx.doi.org/10.1063/1.2349317

Strong optical anisotropies of F 16 CuPc thin films studied by spectroscopic ellipsometry
Authors:M. I. Alonso, M. Garriga, J. O. Ossó, F. Schreiber, E. Barrena, and H. Dosch
Reference:Journal of Chemical Physics 119 , 6335 (2003). http://dx.doi.org/10.1063/1.1602056


Last update: 2015-06-08 16:39:06

Research Fields:


Desenvolupo la meva recerca al voltant de dos temes principals: Creixement epitaxial de semiconductors. Actualment la meva activitat es centra en l'epitàxia per feixos moleculars de materials basats en Si, especialment dipòsits nanoestructurats auto-ensamblats. Aplicació d'espectroscòpies òptiques a l'estudi de les propietats òptiques, electròniques i vibracionals dels sòlids. Les tècniques experimentals emprades són el·lipsometria espectroscòpica, fotoluminiscència, dispersió Raman i espectroscòpia infraroja. Els materials estudiats són molt diversos, però cal destacar-ne els semiconductors, en general, tan inorgànics com orgànics. Pel que fa a l'el·lipsometria, en aquest moment, l'objectiu principal és ampliar els mètodes d'anàlisi habituals a casos més complicats, com són el tractament de materials nanoestructurats, anisòtrops i multicapes complexes, com les emprades en dispositius d'òptica integrada.


Contact Data:

Telephone:
+ 34 935 801 853
Internal Phone Number:
281
Office:
3.11
P.O. Box:
1
Fax:
+ 34 935 805 729
E-mail:
isabel (at) icmab.es
Laboratory/Department:
Nanostructured Materials
Address:
Institut de Ciència de Materials de Barcelona

Consejo Superior de Investigaciones Científicas

Campus de la Universitat Autònoma de Barcelona

08193 Bellaterra

Catalunya, Espanya